Память 3D XPoint по объёмам поставок обгонит DRAM к концу десятилетия, считают аналитики
Рынок памяти 3D XPoint, MRAM, ReRAM и других развивающихся стандартов к 2031 году может вырасти до $44 млрд, говорят данные отчёта Coughlin Associates и Objective Analysis. Эксперты считают, что изделия на основе новых технологий постепенно будут вытеснять привычные решения вроде NOR Flash, SRAM и DRAM. Это касается как самостоятельных чипов памяти, так и интегрируемых устройств — микроконтроллеров, процессоров и интегральных схем специального назначения.
Например, в сегменте энергонезависимой памяти 3D XPoint, применяемой в накопителях Intel Optane, к 2031 году прогнозируется выручка на уровне $20 млрд. А доход от реализации чипов памяти MRAM и STT-RAM (магниторезистивная память на основе переноса спинового момента) может достигнуть $1,7 млрд, увеличившись в 42 раза по сравнению с 2020-м. Память ReRAM и MRAM, идущая на замену NOR и SRAM, по факту займёт ещё большую долю рынка.
Аналитики поделились графиком, на котором показано, что к 2028 году совокупный объём поставляемой на рынок памяти 3D XPoint превысит 100 000 петабайт, тем самым превзойдя поставки DRAM, которые к тому моменту несколько замедлятся.
Один из авторов вышеупомянутого доклада, Джим Хэнди (Jim Handy) из Objective Analysis объяснил, почему исследователи пришли к такому выводу. По его словам, для производства памяти 3D XPoint требуется меньшее количество кремниевых пластин, чем в случае с памятью DRAM. Компании Micron и Intel ещё в 2015 году заявили, что новый стандарт памяти будет 10 раз плотнее традиционной DRAM. Другими словами, при использовании лишь 1/10 тех пластин, что применяются для производства памяти DRAM, можно получить такое же количество чипов памяти 3D XPoint.
Аналитики соглашаются, что их прогноз выглядит очень оптимистичным. Тем не менее они считают, что к 2031 году более 50 % используемой памяти в серверном сегменте будут представлять именно модули 3D XPoint DIMM (например, Optane DC Persistent Memory Module). Память DRAM в свою очередь будет применяться в гораздо меньшем объёме и, скорее всего, в тех задачах, где она будет использоваться как быстрая кеш-память.
Успех памяти Optane в значительной степени зависит от компании Intel. Если она найдёт способ производить память в больших объёмах и снизит её себестоимость, что к настоящему моменту так и не удалось сделать, то ею заинтересуются другие производители. «Всё зависит от успеха Intel в привлечении крупных покупателей памяти Optane и от её желания продолжать развивать эту технологию. Оба аспекта сложно предсказать», — отмечает Хэнди.
Выводы аналитиков ставят под сомнение правильность принятого компанией Micron решения о продаже своего бизнеса по производству памяти 3D XPoint. Однако эксперт считает, что данное решение вполне объяснимо: «Я думаю, что Micron в 2015 году ожидала, что развитие рынка памяти 3D XPoint будет происходить более быстрыми темпами, чем на самом деле, и те же Optane SSD найдут к настоящему моменту более широкое применение. При отсутствии конкурентного рынка и расширения производства Micron просто не видела чёткого пути для прибыли от этого сегмента. Неудивительно, что компания решила избавиться от этого бизнеса».
Источник
Например, в сегменте энергонезависимой памяти 3D XPoint, применяемой в накопителях Intel Optane, к 2031 году прогнозируется выручка на уровне $20 млрд. А доход от реализации чипов памяти MRAM и STT-RAM (магниторезистивная память на основе переноса спинового момента) может достигнуть $1,7 млрд, увеличившись в 42 раза по сравнению с 2020-м. Память ReRAM и MRAM, идущая на замену NOR и SRAM, по факту займёт ещё большую долю рынка.
Аналитики поделились графиком, на котором показано, что к 2028 году совокупный объём поставляемой на рынок памяти 3D XPoint превысит 100 000 петабайт, тем самым превзойдя поставки DRAM, которые к тому моменту несколько замедлятся.
Один из авторов вышеупомянутого доклада, Джим Хэнди (Jim Handy) из Objective Analysis объяснил, почему исследователи пришли к такому выводу. По его словам, для производства памяти 3D XPoint требуется меньшее количество кремниевых пластин, чем в случае с памятью DRAM. Компании Micron и Intel ещё в 2015 году заявили, что новый стандарт памяти будет 10 раз плотнее традиционной DRAM. Другими словами, при использовании лишь 1/10 тех пластин, что применяются для производства памяти DRAM, можно получить такое же количество чипов памяти 3D XPoint.
Аналитики соглашаются, что их прогноз выглядит очень оптимистичным. Тем не менее они считают, что к 2031 году более 50 % используемой памяти в серверном сегменте будут представлять именно модули 3D XPoint DIMM (например, Optane DC Persistent Memory Module). Память DRAM в свою очередь будет применяться в гораздо меньшем объёме и, скорее всего, в тех задачах, где она будет использоваться как быстрая кеш-память.
Успех памяти Optane в значительной степени зависит от компании Intel. Если она найдёт способ производить память в больших объёмах и снизит её себестоимость, что к настоящему моменту так и не удалось сделать, то ею заинтересуются другие производители. «Всё зависит от успеха Intel в привлечении крупных покупателей памяти Optane и от её желания продолжать развивать эту технологию. Оба аспекта сложно предсказать», — отмечает Хэнди.
Выводы аналитиков ставят под сомнение правильность принятого компанией Micron решения о продаже своего бизнеса по производству памяти 3D XPoint. Однако эксперт считает, что данное решение вполне объяснимо: «Я думаю, что Micron в 2015 году ожидала, что развитие рынка памяти 3D XPoint будет происходить более быстрыми темпами, чем на самом деле, и те же Optane SSD найдут к настоящему моменту более широкое применение. При отсутствии конкурентного рынка и расширения производства Micron просто не видела чёткого пути для прибыли от этого сегмента. Неудивительно, что компания решила избавиться от этого бизнеса».